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AIプロセッサー・チップ

抵抗器ネットワーク

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APTCV60TLM24T3G

製品の説明:IGBT モジュール溝フィールド カット オフ トリプル インバーター 600 V 100 A 250 W シャーシ マウント SP3

パッヶージ:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCDC100KK70D1PAG

製品の説明:ダイオードアレイ 1ペア 共通カソード 700 V 100A シャーシマウントモジュール

パッヶージ:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM120TLM31C3AG

製品の説明:MOSFET - アレイ 1200V (1.2kV) 89A (Tc) 395W (Tc) シャーシ実装 SP3F

パッヶージ:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCDC200A170D1PAG

製品の説明:ダイオードアレイ 1ペアシリーズ 1700 V 200A シャーシマウントモジュール

パッヶージ:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM120HM16CTBL3NG

製品の説明:MOSFET - アレイ 1200V (1.2kV) 150A 560W シャーシ実装

パッヶージ:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM120DDUM16CTBL3NG

製品の説明:MOSFET - アレイ 1200V (1.2kV) 150A 560W シャーシ実装

パッヶージ:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM120AM02CT6LIAG

製品の説明:MOSFET - アレイ 1200V (1.2kV) 947A (Tc) 3.75kW (Tc) シャーシ実装 SP6C LI

パッヶージ:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ATSAMR35J16BT-I/7JX

製品の説明:SAM R35 低消費電力 LoRa® サブ GHz RF トランシーバー IC 64-TFBGA

パッヶージ:64-TFBGA
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ATSAMR35J18BT-I/7JX

製品の説明:SAM R35 低消費電力 LoRa® サブ GHz RF トランシーバー IC 64-TFBGA

パッヶージ:64-TFBGA
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ATSAMR35J17B-I/7JX

製品の説明:SAM R35 低消費電力 LoRa® サブ GHz RF トランシーバー IC 64-TFBGA

パッヶージ:64-TFBGA
10起
1000
1 +
10 +
25 +
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>=100
ATSAMR35J17BT-I/7JX

製品の説明:SAM R35 低消費電力 LoRa® サブ GHz RF トランシーバー IC 64-TFBGA

パッヶージ:64-TFBGA
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCDC150KK120D1PAG

製品の説明:ダイオードアレイ 1ペア 共通カソード 1200 V 150A シャーシマウントモジュール

パッヶージ:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ATSAMR30G18A-MU

製品の説明:IC RF TxRx + MCU 802.15.4 700MHz、800MHz、900MHz 48ピンVFQFN露出ボトムパッド

パッヶージ:48-QFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
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>=100
ATSAMR34J16B-I/7JX

製品の説明:IC RF TxRx + MCU 802.15.4 LoRa™ 137MHz~175MHz、410MHz~525MHz、862MHz~1.02GHz 64-TFBGA

パッヶージ:64-TFBGA
10起
1000
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10 +
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50 +
>=100
MSCDC100H70AG

製品の説明:ブリッジ整流器単相炭化ケイ素ショットキー700 VシャーシマウントSP6

パッヶージ:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
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MSCDC150A120D1PAG

製品の説明:ダイオードアレイ 1ペア直列 1200V 150A シャーシマウントモジュール

パッヶージ:Module
10起
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