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AIプロセッサー・チップ

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単価

操作

DD540N26K

製品の説明:60mm、2600V、540A、整流ダイオードパワーモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMT65R026M2H

製品の説明:Nチャンネル650V 81A 炭化ケイ素MOSFETトランジスタ

パッヶージ:PG-HSOF-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMT65R020M2H

製品の説明:Nチャンネル650V 105A 炭化ケイ素MOSFETトランジスタ

パッヶージ:PG-HSOF-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DD435N40K

製品の説明:4000V、435A、整流ダイオードパワーモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C4042KV13-933FCXC

製品の説明:72Mbitパラレル933MHz同期SRAMメモリIC

パッヶージ:361-FCBGA
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C2644KV18-333BZXI

製品の説明:144Mbit 333MHz同期SRAMメモリIC

パッヶージ:FBGA-165
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1361KVE33-133AXM

製品の説明:9Mbitフロースルー同期SRAMメモリIC

パッヶージ:100-TQFP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1381KVE33-133AXM

製品の説明:18Mbitフロースルー同期SRAMメモリIC

パッヶージ:100-TQFP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD820N16KOF

製品の説明:1600V、圧着技術付き60mmサイリスタ/ダイオードモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1381KVE33-133AXI

製品の説明:18Mbitフロースルー同期SRAMメモリIC

パッヶージ:100-TQFP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD700N22KOF

製品の説明:60 mm サイリスタ/ダイオード・モジュール、圧接技術で2200 Vを実現

パッヶージ:モジュール
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1373KV33-100AXC

製品の説明:18Mビット同期SRAMメモリIC

パッヶージ:100-TQFP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD570N16KOF

製品の説明:圧接技術による1600 Vの60 mmサイリスタ/ダイオード・モジュール

パッヶージ:モジュール
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1370KV33-250AXC

製品の説明:18Mビット同期SRAMメモリIC

パッヶージ:100-TQFP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD520N22KOF

製品の説明:60 mm サイリスタ/ダイオード・モジュール、圧接技術で2200 Vを実現

パッヶージ:モジュール
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1370KVE33-167AXM

製品の説明:18Mビット同期SRAMメモリIC

パッヶージ:100-TQFP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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