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AIプロセッサー・チップ

AI アクセラレータ

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操作

QPD2025D

製品の説明:RF JFETトランジスタ0.25 mm GaAs pHEMTです

パッヶージ:SMD
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
QPD2018D

製品の説明:RF JFETトランジスタ0.18 mm GaAs pHEMTです

パッヶージ:SMD
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
QPC6614

製品の説明:5 MHz ~ 6000 MHzシリアル制御デジタルステップ減衰器,6ビット,0.5dBステップ

パッヶージ:QFN
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3D1210KSD

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)ダイオード 10A、1200VショットキーダイオードTO-247-3L

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3D1250K2

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)ダイオード 50A、1200VショットキーダイオードTO-247-2L

パッヶージ:TO-247-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3D1725K2

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)ダイオード 25A、1700VショットキーダイオードTO-247-2L

パッヶージ:TO-247-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3D06520TS

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)ダイオード 20A、650VショットキーダイオードTO-220-2L

パッヶージ:TO-220-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3D06516TS

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)ダイオード 16A、650VショットキーダイオードTO-220-2L

パッヶージ:TO-220-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3D06512TS

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)ダイオード 12A、650VショットキーダイオードTO-220-2L

パッヶージ:TO-220-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3D06510TS

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)ダイオード 10A、650VショットキーダイオードTO-220-2L

パッヶージ:TO-220-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3D06508TS

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)ダイオード 8A、650VショットキーダイオードTO-220-2L

パッヶージ:TO-220-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3D06506TS

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)ダイオード 6A、650VショットキーダイオードTO-220-2L

パッヶージ:TO-220-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3D06504TS

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)ダイオード 4A、650VショットキーダイオードTO-220-2L

パッヶージ:TO-220-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3C065080T3S

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET 650 V, 80 mohm SiC FET TO-220-3L

パッヶージ:TO-220-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3C065080K3S

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET 650 V, 80 mohm SiC FET TO-247-3L

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3C065080B3

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET 650 V, 80 mohm SiC FET D2PAK-3L

パッヶージ:D2PAK-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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