IXFH150N20Tは200V 150A Nチャネルエンハンスメント型パワーMOSFETトランジスタです。
IXFH150N20Tの仕様
FETタイプ:Nチャネル
技術:MOSFET(金属酸化膜)
ドレイン・ソース間電圧(Vdss):200 V
連続ドレイン電流 (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds On, 最小 Rds On): 10V
Rds On (最大) @ Id, Vgs: 15mΩ @ 75A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id: 5V @ 4mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs:177 nC @ 10 V
Vgs(最大):±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds:11700 pF @ 25 V
消費電力(最大):890W(Tc)
動作温度範囲:-55°C ~ 150°C(TJ)
IXFH150N20Tの特徴
国際標準パッケージ
アバランシェ耐性
高電流処理能力
高速内蔵整流素子
低RDS(on)
IXFH150N20Tの利点
実装容易性
省スペース性
高電力密度
IXFH150N20Tの応用例
DC-DCコンバータ
バッテリー充電器
スイッチングモード/共振モード電源
DCチョッパ
ACモーター駆動装置
無停電電源装置
高速電力スイッチングアプリケーション
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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