IXFX230N20Tは、大電流・高電圧アプリケーション向けに設計された高性能パワーMOSFETです。 このデバイスは、低オン抵抗(RDS(on))と高電流処理能力を備えたNチャネル構造を特長とし、幅広い電源管理および電力変換シナリオに適しています。
IXFX230N20Tの製品概要
製品カテゴリ: MOSFET
技術: Si
実装形態:スルーホール
パッケージ/ケース:TO-247-3
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャンネル数: 1チャンネル
Vds-ドレイン・ソース降伏電圧: 200 V
Id-連続ドレイン電流:230 A
Rds-ドレインオン抵抗:7.5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 20 V, + 20 V
Vgs th-ゲート・ソース間閾値電圧:3 V
Qg-ゲート電荷: 358 nC
最低動作温度: - 55
最大動作温度:+ 175
Pd-電力損失:1.67 kW
チャネルモード:エンハンスメント
商標: HiPerFET
構成: Single
トランジスタタイプ: 1 Nチャンネル
モデル
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