商品名称:シリコン カーバイド MOSFET シングル トランジスタ
ブランド:ST
年:25+
パッヶージ:TOLL-8
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:2500 件
SCT055TO65G3は、領域ごとのオン抵抗(RDS(on))が極めて低く、スイッチング性能に優れた650 VカーバイドパワーMOSFETトランジスタです。sct055to65g3高速换性能を持つ高周波换の必要な応用に適用される。
応用分野です
電源スイッチモデル(smps):sct055to65g3適用必要応用高周波電源换スイッチと高能效のモデル。
dc-dcコンバータ:sct055to65g3が直流用の电圧が直流コンバータまで、エネルギー効率の転換が必要な场合に適用される。
技術的パラメータです
製品:SCT055TO65G3です
パッケージ/ケース:toll-8です。
トランジスタの極性はn-channelです
チャンネル数:1チャンネルです。
Vdsドレインソース破壊電圧:650 Vです
Id-連続ドレイン電流:30 Aです
Rds Onドレイン・ソース・オン抵抗:72 mOhmsです
Vgsゲートソース電圧は- 10 V + 22 Vです
Vgs th-ゲートソース阈値電圧:3 Vです
Qgゲート電荷:31 nCです
最小動作温度:- 55 Cです。
最大動作温度:+ 175 Cです。
Pd-電力散逸:234 Wです
チャンネルモード:Enhancementです
構成:シングルです
降下時間:13.6 nsです
パッケージ:Reelです
パッケージ:Cut Tapeです
製品タイプ:SiC MOSFETSです
立ち上がり時間:5 nsです
典型的なオフ遅延時間:19.4 nsです。
典型的なオン遅延時間:9.2 nsです。
モデル
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パッヶージ
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