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組み込みおよびネットワーク・プロセッサ

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IMBG65R050M2H

製品の説明:650V炭化ケイ素CoolSiC™MOSFET pg-to263-7

パッヶージ:TO263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R040M2H

製品の説明:650V炭化ケイ素CoolSiC™MOSFET pg-to263-7

パッヶージ:TO263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R020M2H

製品の説明:650V炭化ケイ素CoolSiC™MOSFET pg-to263-7

パッヶージ:TO263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R015M2H

製品の説明:650V炭化ケイ素CoolSiC™MOSFET pg-to263-7

パッヶージ:TO263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R007M2H

製品の説明:650V炭化ケイ素CoolSiC™MOSFET pg-to263-7

パッヶージ:TO263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R007M1H

製品の説明:TO247-4 パッケージの 1200V 7mΩ CoolSiC™ トレンチ炭化ケイ素 MOSFET

パッヶージ:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R072M1HXKSA1

製品の説明:スルーホール Nch 650V 26A(Tc) 96W(Tc) PG-TO247-3-41

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R014M1H

製品の説明:TO247-3 パッケージの1200V 14mΩ CoolSiC™ トレンチ型炭化珪素MOSFET

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMYH200R075M1H

製品の説明:CoolSiC™ 2000 V SiCトレンチMOSFET TO-247PLUS-4-HCCパッケージ

パッヶージ:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMYH200R012M1H

製品の説明:CoolSiC™ 2000 V SiCトレンチMOSFET TO-247PLUS-4-HCCパッケージ

パッヶージ:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R048M1H

製品の説明:SMD小型パッケージSiC MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R045M1H

製品の説明:TO-263-7パッケージの1200V CoolSiC™トレンチ型炭化珪素MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R030M1H

製品の説明:650V CoolSiC™ MOSFET - TO247 3ピンパッケージの炭化ケイ素(SiC)製MOSFET

パッヶージ:TO-247-3
10起
1920
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA65R027M1H

製品の説明:650V CoolSiC™ MOSFET - TO247 4ピンパッケージの炭化ケイ素(SiC)製MOSFET

パッヶージ:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZ120R350M1H

製品の説明:TO247-4パッケージの1200V CoolSiC™トレンチ型炭化珪素MOSFET

パッヶージ:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R060M1H

製品の説明:TO-263-7パッケージの1200V CoolSiC™トレンチ型炭化珪素MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
1200
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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