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IMZ120R060M1H: 1200V、TO247-4パッケージのCoolSiC™トレンチ炭化ケイ素MOSFETトランジスタ

基本情報

モデル: IMZ120R060M1H

パッケージ：TO-247-4

タイプ： CoolSiC™ 炭化ケイ素MOSFETトランジスタ

概要

IMZ120R060M1Hは1200V、60mΩのCoolSiC™ SiC MOSFETで、性能と信頼性の両方に最適化された先進のトレンチ半導体プロセスをベースとしたTO247-4パッケージです。SiC MOSFETは、IGBTやMOSFETなどの従来のシリコン（Si）ベースのスイッチに比べて、1200Vクラスのスイッチで最も低いゲート電荷とデバイス容量レベル、整流子抵抗ダイオードでの逆回復損失なし、温度に依存しない低いスイッチング損失、スレッショルドなしのターンオン特性など、多くの利点を備えています。 その結果、CoolSiC™ MOSFETは、力率改善（PFC）回路、双方向トポロジー、DC-DCコンバーターやDC-ACインバーターなどのハードスイッチングや共振スイッチング・トポロジーに最適です。

IMZ120R060M1H 製品特性：

シリーズ： CoolSiC™

FETタイプ：Nチャンネル

技術：SiCFET（炭化ケイ素）

ドレイン-ソース間電圧（Vdss）：1200 V

25°Cでの連続ドレイン電流（Id）： 36A（Tc）

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：15V、18V

異なるId、Vgsでのオン抵抗（最大）： 78 mOhm @ 13A、18V

異なるIdでのVgs(th)（最大）： 5.7V @ 5.6mA

ゲート電荷 (Qg) at Vgs (max): 31 nC @ 18 V

Vgs（最大）：+23V、-7V

入力キャパシタンス（Ciss）（異なるVds（最大）時）： 1060 pF @ 800 V

許容損失（最大）：150W（Tc）

動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)

実装タイプ：スルーホール

サプライヤーデバイスパッケージ： PG-TO247-4-1

パッケージ/ケース: TO-247-4

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

• 2.会社の商品はすべて本物ですか?

  答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

• 3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

  答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。

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  答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。

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  答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。

• 6.会社は領収書を発行できますか?

  答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。