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AIMDQ75R016M2Hは(Infineon)が発売した第二世代の炭化シリコンMOSFETで、改善されたスイッチング性能、低い損失、強化された熱管理を備えています。第1世代と比較してスイッチング速度は25%向上し、品質ファクタは35%向上し、自動車アプリケーション向けにより効率的でコンパクトで信頼性の高いシステムを提供しています。

キーパラメータです

FETタイプ:Nチャネルです

技術:SiCFET(炭化ケイ素)です

ドレインソース電圧(Vdss): 840 Vです。

25°C時電流-連続ドレイン(Id): 103A (Tc)です

駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 15V、20Vです。

異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):14ミリオ@ 55.8A, 20Vです。

Id別Vgs(th)(最大値):5.6V @ 12.3mAです。

異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):74 nC @ 18 Vです。

Vgs(最大値):+23V, -7Vです

異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):2577 pF @ 500 Vです。

FET機能:-です

消費電力分散(最大値):394W (Tc)です。

動作温度:-55℃~ 175℃(TJ)です。

レベル:自動車レベルです

資質:aec-q101です。

装着タイプ:表面装着タイプです。

サプライヤーデバイスパッケージ:pg-hdsop-22です。

技術的な優位性です

‌スイッチ速度‌:1世代より25%ポイント引き上げる

‌熱管理‌:q−dpak実装技術を採用し、最适化放熱性能

検証‌信憑性‌:100%雪崩テスト

応用シーンです

AIMDQ75R016M2Hは、新エネルギー車、産業電源などの高電圧、高効率シーンに適しており、システム全体のエネルギー効率を向上させ、コンポーネントの温度を下げます。

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

• 2.会社の商品はすべて本物ですか?

  答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

• 3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

  答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。

• 4.会社のウェブサイトで引き合いをしてもいいですか?

  答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。

• 5.注文したらいつ出荷できますか?どのくらいで着きますか。

  答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。

• 6.会社は領収書を発行できますか?

  答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。