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sct040w65g3−4は一种の炭化ケイ素、パワーmosfetは650 vの漏源を持つ極电圧を贯、30 aの連続漏極电流と45 mohm導通の典型と抵抗、采hip247−4パッケージ‌‌。

sct040w65g3−4、stの最先端の第3世代sic mosfet技術を持つ、全体の温度范囲が非常に低いrds (on)、結合低静電容量と、高い周波数のスイッチを操作できる応用の性能を改善し、頻度、エネルギー効率の向上、システムの寸法と重量‌減っている。

またsct040w65g3−4、非常に速い足と穏健な体ダイオードを内蔵し、が200°cの结温でできる仕事、そして源を持つ感応ビア‌効率を高めることにした。

技術的パラメータです

製品:SCT040W65G3-4です

パッケージ::hip247-4です。

トランジスタ極性::n-channelです。

チャンネル数::1チャンネルです。

vds-ドレイン・ソース・ボーリング電圧::650 Vです

Id-連続ドレイン電流::30 Aです。

Rds On-ドレインソースオン抵抗:63 mOhmsです

vgs-ゲート-ソース電圧:- 10 V, + 22 Vです。

Vgs th-ゲートソース阈値電圧::3 Vです。

qg-ゲート電荷::37.5 nCです

最小働作温度:- 55 Cです。

最大働作温度:+ 200 Cです。

pd-パワー散逸::240 Wです

チャンネルモード::Enhancementです。

構成::シングルです

降下時間:19 nsです

パッケージ::Tubeです

製品::SiC MOSFETSです

製品タイプ::SiC MOSFETSです

立ち上がり時間::7.4 nsです

典型的なオフ遅延時間::29.6 ns

典型的なオン遅延時間::13 nsです。

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

• 2.会社の商品はすべて本物ですか?

  答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

• 3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

  答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。

• 4.会社のウェブサイトで引き合いをしてもいいですか?

  答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。

• 5.注文したらいつ出荷できますか?どのくらいで着きますか。

  答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。

• 6.会社は領収書を発行できますか?

  答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。