商品名称:IPT60R022S7XTMA1
データマニュアル:IPT60R022S7XTMA1.pdf
ブランド:INFINEON
年:23+
パッヶージ:PG-HSOF-8-2
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:4000 件
Nチャンネル IPT60R022S7XTMA1 MOSFETトランジスタ 8-PowerSFN集積回路チップ
製品特性
トランジスタの極性 Nチャンネル
チャンネル数 1チャネル
Vds - ドレイン-ソース降伏電圧: 600 V
Id - 連続ドレイン電流:23 A
Rds On - ドレイン-ソース間抵抗:22 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:-20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース・スレッショルド電圧: 4.5 V
Qg - ゲート電荷量: 150 nC
最低動作温度: - 55 C
最大動作温度 + 150 C
Pd - 許容損失(Pd) 390 W
チャンネルモード エンハンスメント
コンフィギュレーション シングル
立ち下がり時間:9 ns
立ち上がり時間:4 ns
トランジスタの種類 1 Nチャンネル
典型的なターンオフ遅延時間:150 ns
標準的なターンオン遅延時間:30 ns
製品概要
IPT60R022S7XTMA1は、TOリードレス(TOLL)パッケージの600V CoolMOS™ S7 superjunction MOSFET Transistorです。
特長
耐熱性の向上
高パルス電流容量
導電性の最適化
SMDパッケージでクラス最高のRDS(on)を実現
大電流でのスイッチング性能を向上させるケルビンソースピン
TOLLパッケージはMSL1準拠、完全な鉛フリーでリードの目視検査が容易
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