商品名称:Nチャネル型パワーMOSFET
ブランド:INFINEON
年:25+
パッヶージ:PG-TDSON-8
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:10000 件
ISC007N04NM6 はNチャネル型パワーMOSFETで、OptiMOS™ 6 シリーズに属し、PG-TDSON-8 FL パッケージを採用しています。このデバイスは、超低オン抵抗(RDS(on) = 0.7mΩ @ 10V VGS)と高電流容量(48A @ Ta、381A @ Tc)を特徴とし、高効率電源変換、バッテリー管理、および産業用ドライブアプリケーション向けに設計されています。
ISC007N04NM6 製品特性
低オン抵抗:最大オン抵抗(RDS(on))はわずか0.7mΩ(@ VGS=10V、ID=50A)で、電力損失の低減に貢献します。
高電流容量:連続ドレイン電流(ID)は最大381Aまで対応可能です。
高雪崩耐性:100% 雪崩テストを実施し、過負荷条件下でも信頼性の高い動作を保証します。
最適化された電荷比:QGD/QGS < 0.8で、C.dv/dt耐性があり、ゲート電圧のスパイクを低減します。
低ゲート電荷:スイッチング損失を低減します。
標準レベルゲート駆動:騒がしい環境での誤動作を防止します。
環境対応特性:鉛フリーめっき、RoHS準拠、ハロゲンフリー。
広範な動作温度範囲:-55°Cから+175°C。
ISC007N04NM6 製品属性
メーカー: Infineon
製品種類: MOSFET
技術: Si
取り付け方式: SMD/SMT
パッケージ/ケース: TDSON-FL-8
トランジスタ極性: Nチャネル
チャネル数: 1チャネル
Vds-ドレイン・ソース間 breakdown 電圧: 40 V
Id-連続ドレイン電流: 381 A
Rds On-ドレイン・ソース導通抵抗: 700 uOhms
Vgs - ゲート-ソース電圧: - 20 V, + 20 V
Vgs th-ゲート・ソース閾値電圧: 2.8 V
Qg-ゲート電荷: 94 nC
最小動作温度: -55°C
最大動作温度: +175°C
Pd-電力消費: 188 W
チャネルモード: エンハンスメント
商標名: OptiMOS
応用分野
ISC007N04NM6 は以下の分野で広く応用されています:
バッテリー駆動アプリケーション:バッテリー駆動ツール、バッテリー管理など。
低電圧ドライバー:低電圧駆動アプリケーションに適しています。
スイッチング電源(SMPS):同期整流、DC-DCコンバーターなど。
負荷スイッチ:電子機器の電源状態を制御するために使用されます。
モータードライバー:FOC(磁場指向制御)とDTC(直接トルク制御)モーター制御技術に適しています。
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
PG-TDSON-8
30000
Nチャネル パワーMOSFET 25V 39A(Ta)、58A(Tc) 2.5W(Ta)、28W(Tc) PG-TDSON-8-5
INFINEON
PG-TDSON-8
20000
Nチャネル パワーMOSFET 25V 33A(Ta)、100A(Tc) 2.5W(Ta)、50W(Tc) PG-TDSON-8-6
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ISC015N03LF2Sは、NチャネルパワーMOSFETで、OptiMOS™ LFシリーズに属し、SuperSO8(PG-TSDSON-8)パッケージを採用しています。連絡先電話:86-755-83294757
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