商品名称:IMBG65R083M1HXTMA1
データマニュアル:IMBG65R083M1HXTMA1.pdf
ブランド:INFINEON
年:23+
パッヶージ:TO-263-8
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:5000 件
650V トランジスタ IMBG65R083M1HXTMA1 炭化ケイ素 MOSFET シングルチューブ TO-263-8
IMBG65R083M1HXTMA1の製品属性
FETタイプ Nチャンネル
技術 SiCFET(炭化ケイ素)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss): 650 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): 18V
Rdsオン(最大)@Id、Vgs: 111mOhm@11.2A、18V
Vgs(th) (最大)@Id: 5.7V@3.3ミリアンペア
ゲートチャージ(Qg)(最大)@Vgs: 19 nC @ 18 V
Vgs (Max): +23V、-5V
入力キャパシタンス(Ciss)(最大)@ Vds: 624 pF @ 400 V
消費電力(Max): 126W (Tc)
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
マウントタイプ 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ: PG-TO263-7-12
パッケージ/ケース: TO-263-8、D²Pak (7 Leads + Tab)、TO-263CA
IMBG65R083M1HXTMA1の特長
低Qrr、低Qoss
低スイッチング損失
整流に強い高速ボディ・ダイオード
先進のトレンチ技術により、優れたゲート酸化膜の信頼性を実現
優れた熱性能を実現するXTインターコネクト技術
強化されたアバランシェ能力
PCBへの直接統合を可能にするSMDパッケージ
スイッチング性能を最適化するセンスピン
IMBG65R083M1HXTMA1は、炭化ケイ素MOSFETシングルチューブで、コンパクトな7ピンSMDパッケージで、システム性能の向上、小型化、信頼性の向上を目指して設計されています。
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AIKYX200N75CP2は750VEDT2技術を採用し、自動車応用に非常に適している。3ピンデバイスと比較して、最大470Vのバッテリ電圧、安全な高速スイッチング、および30%のオンエネルギー損失をサポートします。その合格したリフロー可能なパッケージは革新的な組み立てソリューシ…AIKQB200N75CP2
AIKQB200N75CP2デバイスは750VEDT2技術を採用し、470V電池電圧までの高圧自動車応用に非常に適している。シンプルな並列処理、システムの柔軟性、電力の拡張性をサポートしています。応用です:xEVトラクションインバータですdc-link放電スイッチです補助駆動車です特徴で…AIKQB120N75CP2
AIKQB120N75CP2デバイスは750VEDT2技術を採用し、470V電池電圧までの高圧自動車応用に非常に適している。シンプルな並列処理、システムの柔軟性、電力の拡張性をサポートしています。応用です:xEVトラクションインバータですdc-link放電スイッチです補助駆動車です特徴で…連絡先電話:86-755-83294757
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