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IMBG65R163M1HXTMA1 SMDコンパクトパッケージSiC MOSFET, CoolSiC™ MOSFET技術は、炭化ケイ素の強力な物理特性を最大化することにより、デバイス性能、堅牢性、使いやすさの独自の利点を強化しています。

IMBG65R163M1HXTMA1」の製品特性について

FETの種類 Nチャンネル

技術 SiCFET(炭化ケイ素)

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)： 650 V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C： 17A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）： 18V

Rdsオン（最大）＠Id、Vgs： 217mOhm@5.7A、18V

Vgs(th) (最大)@Id： 5.7V@1.7ミリアンペア

ゲートチャージ(Qg)(最大)@Vgs： 10 nC @ 18 V

Vgs (Max)： +23V、-5V

入力キャパシタンス（Ciss）（最大）@ Vds： 320 pF @ 400 V

電力損失（最大）： 85W (Tc)

動作温度： -55°C ~ 175°C (TJ)

マウントタイプ 表面実装

サプライヤーデバイスパッケージ： PG-TO263-7-12

パッケージ/ケース： TO-263-8、D²Pak（7リード＋タブ）、TO-263CA

IMBG65R163M1HXTMA1の特長

高性能、高信頼性、使い勝手の良さ

高いシステム効率と高い電力密度

システムコストと複雑さを低減

より低コストでシンプルな小型システムの構築

集積回路チップ IMBG65R163M1HXTMA1 パワーMOSFETトランジスター TO-263-8

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

• 2.会社の商品はすべて本物ですか?

  答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

• 3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

  答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。

• 4.会社のウェブサイトで引き合いをしてもいいですか?

  答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。

• 5.注文したらいつ出荷できますか?どのくらいで着きますか。

  答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。

• 6.会社は領収書を発行できますか?

  答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。