商品名称:MSCSM170AM15CT3AG
データマニュアル:MSCSM170AM15CT3AG.pdf
ブランド:Microchip
年:23+
パッヶージ:SP3F
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1500 件
MSCSM170AM15CT3AGデバイスは、1700V、181A相の炭化ケイ素(SiC)製MOSFETパワーモジュールです。
仕様
MSCSM170AM15CT3AGデバイスの仕様は以下の通りです:
技術:炭化ケイ素(SiC)
構成:Nチャンネル×2(位相差あり)
FETの機能:ー
ドレインソース電圧 (Vdss): 1700V (1.7kV)
25℃における電流 - 連続ドレイン電流 (Id) 181A (Tc)
異なるIdでのオン抵抗、Vgs(max):15ミリオーム@90A、20V
Vgs(th)、Id違い(max):3.2V @ 7.5mA
ゲート電荷(Qg):534nC@20V
入力容量(Ciss):9900pF @ 1000V(最大)。
最大電力: 862W (Tc)
動作温度: -40°C ~ 175°C (TJ)
マウントタイプ:シャーシマウント
パッケージ/ハウジング: モジュール
サプライヤーデバイスパッケージ: -
基本部品番号: MSCSM170
アプリケーション
MSCSM170AM15CT3AGデバイスのアプリケーションは以下の通りです:
- 誘導加熱および溶接
- 太陽電池インバーター
- 電気自動車用モーター、トラクションドライブ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Microchip
SOT-227
1000
SiC MOSFETモジュールNチャンネル1200 V 55A (t) 245W (t) sot-227 (ISOTOP®)です。
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