最新のSTGWA40HP65FB2 IGBT 650 V HB2シリーズは、先進的な独自のトレンチゲート・フィールドストップ構造を開発したものです。 低電流値でのより優れたVCE(飽和)特性により、HB2シリーズは導通の点で最適化され、スイッチング・エネルギーも低減します。 保護専用のダイオードがIGBTと反並列にパッケージされています。 その結果、本製品は様々な高速アプリケーションにおいて効率を最大化するよう特別に設計されています。
機能
最大ジャンクション温度:TJ = 175 °C
低VCE(sat)=1.55 V (代表値) @ IC = 40 A
共封止保護ダイオード
最小テール電流
タイトなパラメータ分布
低熱抵抗
正のVCE(飽和)温度係数
製品特性
メーカー:STマイクロエレクトロニクス
製品カテゴリー: 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)
テクノロジー: Si
パッケージ/ケース:TO-247-3
実装スタイル: スルーホール
構成:シングル
コレクタ・エミッタ間最大電圧VCEO:650 V
コレクタ・エミッタ飽和電圧:1.55 V
ゲート/エミッタ最大電圧: - 20 V、20 V
連続コレクタ電流(25 C):72 A
Pd-電力損失:227 W
最低動作温度: - 55
最大動作温度: + 175 C
最大連続コレクタ電流Ic:72 A
ゲート・エミッタ間リーク電流:250 nA
工場出荷時パッケージ数量: 600
ユニット重量: 6.100 g
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
TO-247-3
10000
ARM® Cortex®-M0 STM32F0 マイクロコントローラ IC 32 ビットシングルコア 48MHz 256KB(256K x 8)フラッシュメモリ
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