STGB19NC60KDT4は、トレンチ技術による600V IGBTファミリーに属する高性能絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)です。 このチップは、600V、20AのIGBTと逆並列高速リカバリ・ダイオードをD2PAKパッケージに集積しています。 これらのデバイスは、スイッチング性能と低コンダクタンス動作の優れたトレードオフを保証するプロセスである先進のPowerMESH™技術を用いて開発された超高速IGBTです。
特長 - STGB19NC60KDT4
低オン状態電圧降下(VCE(sat)
低CRES / CIES比(クロスコンダクタンス・インダクタンスなし)
短絡耐量 10 μs
超高速連続性ダイオードとのコ・パッケージIGBT
仕様 - STGB19NC60KDT4
製品カテゴリ:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)
技術: Si
パッケージ/ケース:D2PAK-3
実装スタイル: SMD/SMT
構成: Single
コレクタ・エミッタ間最大電圧VCEO:600 V
コレクタ・エミッタ飽和電圧: 2 V
ゲート/エミッタ最大電圧: - 20 V、20 V
連続コレクタ電流(25 C):35 A
Pd-電力損失: 125 W
最低動作温度: - 55
最大動作温度: + 150 C
シリーズ: STGB19NC60KDT4
最大連続コレクタ電流 Ic: 35 A
高さ: 4.6 mm
長さ: 10.4 mm
アプリケーション - STGB19NC60KDT4
高周波インバータ
モータードライブ
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