STGW60V60DFデバイスは、先進的な独自のトレンチゲート・フィールドストップ構造を用いて開発されたIGBTで、IGBTのVシリーズの一部であり、UHFコンバータの効率を最大化するために、伝導損失とスイッチング損失の最適な妥協点を提供します。 さらに、正のVCE(飽和)温度係数と非常に厳しいパラメータ分布により、安全な並列動作が可能です。
特徴
- 最大ジャンクション温度:TJ = 175 °C
- テールスイッチングなし
- VCE(sat) = 1.85 V (代表値) @ IC = 60 A
- タイトなパラメータ分布
- 安全な並列接続
- 低熱抵抗
- 超高速ソフトリカバリ逆並列ダイオード
用途
- 太陽光発電インバーター
- 無停電電源装置
- 溶接
- 力率改善
- UHFコンバータ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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このNチャネル・パワーMOSFETは、強化されたトレンチ・ゲート構造を特徴とするSTripFET F8技術を利用しています。連絡先電話:86-755-83294757
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