STB16N90K5超高電圧(900V) NチャネルパワーMOSFETは、優れた電力密度と高効率を必要とするアプリケーションに適した革新的な独自の垂直構造をベースとしたMDMESH K5技術で設計されています。
製品の属性。
FETタイプ:Nチャネルです
技術:MOSFET(金属酸化物)です
ドレインソース電圧(Vdss): 900 Vです
25°C時電流-連続ドレイン(Id): 15A (Tc)です
駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 10Vです。
異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):330ミリオ@ 7.5A, 10Vです。
Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):5V @ 100µAです。
異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):29.7 nC @ 10 V
Vgs(最大値):±30Vです
異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):1027 pF @ 100 Vです。
FET機能:-です
消費電力分散(最大値):190W (Tc)です。
動作温度:-55℃~ 150℃(TJ)です。
装着タイプ:表面装着タイプです。
サプライヤーデバイスパッケージ:to-263 (D2PAK)です。
パッケージ/ケース:to-263-3、D2PAK(2リード+凸)、to-263abです。
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT 8x8
3000
Nチャネル600 V、175 mOhm典型値、15 A MDMesh DM 6パワーMOSFET、PowerFLAT 8 x 8 HVパッケージ
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答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
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