STB120NF10T4は、STマイクロエレクトロニクスが提供するNチャネル強化型パワーMOSFETで、STripFET™ IIシリーズに属し、TO-263-3(D2PAK)パッケージを採用しています。高電流・高耐圧アプリケーションに最適です。このデバイスは低オン抵抗と高速スイッチング特性を備え、電源管理、モーター駆動、産業制御など幅広い分野で活用されています。
STB120NF10T4製品仕様
製品種類: MOSFET
技術: Si
実装方式: SMD/SMT
パッケージ/ケース: D2PAK-3 (TO-263-3)
トランジスタ極性: Nチャネル
チャネル数: 1チャネル
Vds-ドレイン・ソース間耐圧: 100 V
Id-連続ドレイン電流: 110 A
Rds On-ドレイン-ソース導通抵抗: 10.5 mΩ
Vgs - ゲート-ソース電圧: - 20 V, + 20 V
Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧: 2 V
Qg-ゲート電荷: 172 nC
最小動作温度: -55°C
最大動作温度: +175°C
Pd-電力消費: 312 W
チャネルモード: エンハンスメント
STB120NF10T4 主な特性
低導通抵抗:10.5mΩ @ 60A, 10V、導通損失を低減し、効率を向上。
高電流耐量:110A 連続電流、大電力スイッチングアプリケーションに最適。
高速スイッチング性能:上昇時間 90ns、下降時間 68nsで、PWM制御効率を最適化します。
産業用レベルの信頼性:100% アバランシェテストを実施し、高電圧過渡状態での安定性を確保します。
RoHS準拠、鉛フリーパッケージを採用し、環境規制が厳しい環境にも適しています。
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT 8x8
3000
Nチャネル600 V、175 mOhm典型値、15 A MDMesh DM 6パワーMOSFET、PowerFLAT 8 x 8 HVパッケージ
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