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IPD70R600P7Sは、CoolMOS™ P7シリーズに属する高性能NチャネルパワーMOSFETで、電源アダプタ、充電器、産業用電源、モータドライブなどの高電圧、高周波スイッチングアプリケーション向けのTO-252-3（DPAK）パッケージです。

IPD70R600P7S コアの特長

高耐圧と低オン抵抗

高電圧アプリケーション用600V耐圧（VDSS）。

7mΩ 超低オン抵抗（RDS(on)@10V）により、電力損失を低減し、効率を改善。

高速スイッチング性能

低ゲートチャージ（Qg = 120nC）により、スイッチング速度の最適化とスイッチング損失の低減を実現。

高周波PWM制御回路向けにEon/Eoffエネルギーを最適化。

優れた熱性能

ジャンクション温度範囲 -55°C ~ +175°Cで、過酷な動作環境に対応。

低熱抵抗 (RthJC = 2.9 K/W) で熱効率を改善。

保護機能内蔵

ESD保護強化のためのツェナーダイオード内蔵（HBMレベル2）。

最適化されたVGS(th) = 3V ±0.5Vにより、安定した駆動を保証。

IPD70R600P7Sの製品特性

シリーズ: CoolMOS™ P7  

FETタイプ：Nチャンネル  

技術：MOSFET（金属酸化膜）  

ドレイン-ソース間電圧（Vdss）：700 V  

25°Cでの連続ドレイン電流（Id）： 8.5A（Tc）  

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V  

異なるId、Vgsにおけるオン抵抗（最大）： 600 mOhm @ 1.8A、10V  

異なるIdにおけるVgs(th)（最大）：3.5V @ 90µA  

ゲート電荷（Qg）（最大）、Vgs時：10.5nC@10V  

Vgs（最大）：±16V  

異なるVds（最大）における入力容量（Ciss）： 364 pF @ 400 V  

許容損失（最大）： 43W（Tc）  

動作温度： -40°C ~ 150°C (TJ)  

実装タイプ： 表面実装  

サプライヤーパッケージ: PG-TO252-3 

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

• 2.会社の商品はすべて本物ですか?

  答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

• 3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

  答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。

• 4.会社のウェブサイトで引き合いをしてもいいですか?

  答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。

• 5.注文したらいつ出荷できますか?どのくらいで着きますか。

  答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。

• 6.会社は領収書を発行できますか?

  答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。