商品名称:STGWT40HP65FB
データマニュアル:STGWT40HP65FB.pdf
ブランド:ST
年:23+
パッヶージ:TO-3P
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:2000 件
stgwt40hp65ff650 vデバイスは、高度な溝ゲートフィールドオフ構造を採用して開発されたIGBTです。このデバイスは、新しいHBシリーズIGBTの一部であり、任意のコンバータの効率を最大化する伝導とスイッチング損失の間の最適なトレードオフを表します。
製品仕様
IGBTタイプ:溝型フィールドオフです
電圧-輻射破壊(最大値):650 Vです
電流-コレクタ(Ic)(最大値):80 Aです
電流-集電パルス(Icm): 160 Aです
Vge、Icが異なる場合Vce(on)(最大値):2V @ 15V, 40A
最大出力:283 Wです。
スイッチエネルギー:363µJ(オフ)です。
入力タイプ:標準です。
ゲート電荷:210 nCです
25°CでTd(オン/オフ)値:-/142nsです。
試験条件:400V、40A、5オーム、15Vです。
逆リカバリ時間(trr): 140 nsです。
動作温度:-55℃~ 175℃(TJ)です。
取り付けタイプ:貫通穴です
パッケージ/ケース:to-3p-3, sc-65-3です
サプライヤーデバイスパッケージ:to-3pです。
基本品番:STGWT40です。
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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