商品名称:SCT040W120G3AG
データマニュアル:SCT040W120G3AG.pdf
ブランド:ST
年:23+
パッヶージ:HIP247
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:3000 件
SCT040W120G3AG炭化シリコンパワーMOSFETデバイスは、イタリア半導体の革新的な第3世代SiC MOSFET技術を用いて開発されました。このデバイスは、全温度範囲で非常に低いRDS(on)、低容量と非常に高いスイッチング働作を組み合わせることで、周波数、エネルギー効率、システムサイズと軽量化の面での応用性能を向上させます。
デバイス型番:SCT040W120G3AGです。
炭化ケイ素パワーMOSFETです
電圧は1,200 Vです
電流は40 Aです
取り付けタイプ:貫通穴です
パッケージ:HIP247です
特性です
・aec-q101認証を取得しました
・全温度にわたって非常に低いRDS(on)です。
・高速交換性能です
・非常に高速で安定した内蔵ダイオードです
・非常に高い作業結温能力(TJ = 200℃)です。
応用です
・メインインバータ(電気牽引)です
・EV/HEV用DC/DCコンバータです
・車載充電器(OBC)です。
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