商品名称:IXFN50N120SK
データマニュアル:IXFN50N120SK.pdf
ブランド:IXYS
年:23+
パッヶージ:SOT-227B
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
IXFN50N120SK 高速スイッチ、低キャパシタンス、高ブロッキング電圧、低RDS(on)、容易な並列接続、シンプルな作動、耐ラッチアップ性、真のケルビンソース接続、絶縁電圧3000 V~、業界標準フォームファクタ、RoHS対応、窒化アルミニウム基板絶縁でUL 94V-0にエポキシ準拠、高度なパワーサイクル。
製品属性
FETタイプ:Nチャンネル
技術:SiCFET(炭化ケイ素)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):1200 V
25°Cでの連続ドレイン電流(Id): 48A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):20V
異なるId、Vgsでのオン抵抗(最大): 52 mOhm @ 40A、20V
異なるIdでのVgs(th) (最大): 2.8V @ 10mA
ゲート電荷 (Qg) at Vgs (max): 115 nC @ 20 V
Vgs(最大):+20V、-5V
入力キャパシタンス(Ciss)(Vds(最大)時): 1895 pF @ 1000 V
動作温度: -40°C ~ 175°C (TJ)
実装タイプ:シャーシマウント
サプライヤーデバイスパッケージ: SOT-227B
パッケージ/ケース: SOT-227-4、miniBLOC
アプリケーション
● ソーラーインバータ
● 高電圧DC/DCコンバータ
● モータドライバ
● スイッチング電源
● 無停電電源装置
● バッテリーチャージャー
● 誘導加熱
モデル
ブランド
パッヶージ
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説明
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IXYSは米国シリコンバレーに本社を置き、1983年に設立された主な事業内容:MOSFET、IGBT、サイリスタ、SCR、整流ブリッジ、ダイオード、DCBブロック、パワーモジュール、ハイブリッド、トランジスタ、インバータ、RFモジュール、マイコンなど事業は消費、自動車、医療、通…
IXFH60N65X2-4
IXFH60N65X2-4 は、IXYSが発売するNチャネルパワーMOSFETで、HiPerFET™ X2-Class シリーズに属し、TO-247-4L パッケージを採用しています。DLA60I1200HA
DLA60I1200HA は、IXYS が発売した 1200V/60A の汎用整流器で、TO-247-2(TO-247AD)パッケージを採用し、高出力整流、産業用電源、モーター駆動など幅広いアプリケーションに適用可能です。IXFH60N50P3
IXFH60N50P3は、高電力スイッチングアプリケーション向けに設計されたHiPerFET™ Polar3™シリーズに属するNチャネルパワーMOSFETです。IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は、最大150 kHzのスイッチング能力を提供し、電流範囲は66Aです。高スイッチング速度と低伝導損失の組み合わせは、電源設計者に価値の高い新しいスイッチングアプリケーションの選択肢を提供します。この製品は以下…IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1は、主に10 ~ 30kHzのスイッチング用のIGBT(絶縁ゲートバイ極トランジスタ)です。この製品は以下の主要なパラメータを持っています:IGBTタイプ:PTです電圧-輻射破壊(最大値):600 Vです電流-コレクタ(Ic)(最大値):200 Aです電流-集電パルス(Icm): 440 Aです…IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は,XPT薄ウエハー技術と溝型IGBTプロセスで開発しました。このトランジスタは低い熱抵抗を持ち,低いスイッチング損失を実現するために最適化されています。特徴と仕様は以下の通りです。特徴ですスイッチング損失が…連絡先電話:86-755-83294757
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