tp65h035g4ysはrenesas打ち出したsupergan fetデバイス,to−247−4 l実装、導通抵抗を35 mオメガ开尔文源極端な子をデザイン。TP65H035G4YSデバイスは、最先端の高電圧GaN HEMTと低電圧シリコンMOSFET技術を組み合わせ、優れた信頼性と性能を提供します。
TP65H035G4YSには以下のような特徴があります。
第4世代技術です
JEDECの標準に準拠したGaN技術です
ダイナミックRDS (on) eff生産テストです
頑丈なデザイン、定義です
ワイドゲート安全マージン
過渡過圧能力です
非常に低いQRRです
分割損失を減らします
RoHS規格準拠およびノンハロゲン包装です
ハードスイッチとソフトスイッチで高効率を実現します
電力密度を高めます
システムのサイズと重量を減らします
全体的なシステムコストの削減です
通常のゲートドライブで簡単に駆動できます
性能向上のためのケルビンソースです
応用シーンです
データ通信です
博大実業です
太陽光インバータです
サーボモーターです
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。
答え:現在、私たちの自営代理店 TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。
答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。
答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。
答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
ルネサステクノロジは、世界トップ10の半導体チップサプライヤの1つであり、モバイル通信、自動車エレクトロニクス、PC/AVなどの多くの分野で世界最高の市場シェアを獲得しています。ルネサステクノロジーは、最先端のテクノロジーで人間の夢を実現するために、2003年4月…
TP65H100G4LSGB
TP65H100G4LSGBはRenesasが発売する650V SuperGaN GaN FETで、Gen IV技術プラットフォームを採用し、高電圧GaN HEMTと低電圧シリコンMOSFETを組み合わせ、優れた信頼性と性能を備えています。製品の属性。FETタイプ:Nチャネルです技術:GaNFET(窒化ガリウム)ですリークソー…TP65H100G4PS
TP65H100G4PSは、Renesasが発表した650V GaN FET(窒化ガリウム電界効果トランジスタ)で、Gen IV SuperGaNプラットフォーム技術を採用し、高信頼性・低損失特性を実現しています。主な仕様ですFETタイプ:Nチャネルです技術:GaNFET(窒化ガリウム)ですリークソース電圧(Vdss…TP65H035G4WSQA
tp65h035g4wsqa 650 v 35 mオメガ窒化ガリウム(gan) fet renesas genivプラットホーム構築の使用はよく素子をつぶる。独自の技術を用いることで、内部インダクタンスの低減と組み立てプロセスの簡素化を実現しました。最先端の高圧GaN HEMTと低圧シリコンMOSFETを組み合わ…TP65H070G4RS
TP65H070G4RSはRenesasが発売する第4世代スーパーガンテクノロジーFETデバイスで、TOLTパッケージ(上部放熱型表面実装)を採用しており、効率的な熱管理と高い信頼性が求められるシーンに適しています。主な仕様は以下の通りです。FETタイプ:Nチャネルです技術:GaNFET(窒化…TP65H070G4PS
tp65h070g4ps 1項は650 v、70 mのオメガ窒化ガリウム(gan)試合効果トランジスタ(fet)、to−220パッケージを采用し、(renesas)が生産する。低オン抵抗とスイッチング性能に優れ、高効率電源変換シーンに適しています。コアパラメータですFETタイプ:Nチャネルです技術:GaNF…TP65H070G4QS
TP65H070G4QSは、Renesasが発売した650VスーパーガンFETで、TOLLパッケージを採用した第4世代Gen IVスーパーガンのプラットフォーム製品です。高圧GaN HEMTと低圧シリコンMOSFETを組み合わせることで、高効率と信頼性を実現しています。FETタイプ:Nチャネルです技術:GaNF…連絡先電話:86-755-83294757
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