tp65h015g5wsは一种の采to−247−15 mオメガ3パッケージの650 v supergan fet素子、それは最先端の高圧gan hemtモーゲージシリコンmosfetとを結合させ、卓越な信頼と性能を提供する。具体的なパラメータは以下の通りです。
FETタイプ:Nチャネルです
技術:GaNFET(窒化ガリウム)です
リークソース電圧(Vdss): 650 Vです
25°C時電流-連続ドレイン(Id): 93A (Tc)です
駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 10Vです。
異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):18ミリオ@ 60A, 10Vです。
Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):4.8V @ 2mAです。
異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):100 nC @ 10 Vです
Vgs(最大値):±20Vです
異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):5218 pF @ 400 Vです
FET機能:-です
消費電力分散(最大値):266W (Tc)です。
動作温度:-55℃~ 150℃(TJ)です。
取り付けタイプ:貫通穴です
サプライヤーデバイスパッケージ:to-247-3です。
また、TP65H015G5WSはJEDEC認証を取得しており、過渡過圧保護、対サージ電流能力を備えています。このGaN FETデバイスは、主に電気自動車の車載充電器(OBC)やDC/DCコンバータ、パワートレインバータに使用されており、高出力密度、高効率のパワーエレクトロニクス設計に対応しています。
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答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
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