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AIプロセッサー・チップ

AI アクセラレータ

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操作

MRF13750HSR5
NXP

製品の説明:750W連続波、700-1300MHz、50V LDMOS RFパワートランジスタ

パッヶージ:NI-1230-4S
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MRF13750HR5
NXP

製品の説明:750W連続波、700~1300MHz、50V LDMOS RFパワートランジスタ

パッヶージ:NI-1230-4H
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A3T23H300W23S
NXP

製品の説明:Nチャンネル・エンハンスド・ラテラルMOSFET

パッヶージ:ACP-1230S-4L2S
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G18H610W19NR3
NXP

製品の説明:A5G18H610W19N 1805~1880MHz、平均85W、48V Airfast® RFパワーGaNトランジスタ

パッヶージ:OM- 780- 4S4S
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A3T21H456W23SR6
NXP

製品の説明:Nチャンネル強化ラテラルMOSFET

パッヶージ:ACP-1230S-4L2S
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A3T19H455W23SR6
NXP

製品の説明:Nチャンネル・エンハンスド・ラテラルMOSFET

パッヶージ:ACP-1230S-4L2S
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A3T18H455W23SR6
NXP

製品の説明:Nチャンネル・エンハンスド・ラテラルMOSFET

パッヶージ:ACP-1230S-4L2S
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A3T18H400W23SR6
NXP

製品の説明:1805-1880MHz、平均71W、28V Airfast® LDMOS RFパワートランジスタ

パッヶージ:ACP-1230S-4L2S
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2T08VD020NT1
NXP

製品の説明:728~960MHz、アベレージ2W、48V Airfast® LDMOS RFパワートランジスタ

パッヶージ:24-PQFN-EP
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G35H055NT4
NXP

製品の説明:3400-3600 MHz、平均7.6 W、48 V Airfast® RFパワーGaNトランジスタ

パッヶージ:DFN-6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A3G26D055NT4
NXP

製品の説明:モスフェット RF 48 V 40 mA 100MHz〜2.69GHz 13.9dB 8W 6-PDFN (7x6.5)

パッヶージ:6-LDFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2V09H525-04NR6
NXP

製品の説明:モスフェット 48 V 688 mA 720MHz~960MHz 18.9dB 120W OM-1230-4L

パッヶージ:OM-1230-4L
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2V09H400-04NR3
NXP

製品の説明:高速RFパワーLDMOSトランジスタ、720~960MHz、平均107W、48V

パッヶージ:OM-780-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2V09H300-04NR3
NXP

製品の説明:モスフェット 48V 400mA 720MHz~960MHz 19.7dB 53dBm OM-780G-4L

パッヶージ:OM-780G-4L
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2V07H525-04NR6
NXP

製品の説明:RF モスフェット 48 V 700 mA 595MHz ~ 851MHz 17.5dB 120W OM-1230-4L

パッヶージ:OM-1230-4L
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2V07H400-04NR3
NXP

製品の説明:モスフェット 48V 700mA 595MHz~851MHz 19.9dB 267W OM-780G-4L

パッヶージ:OM-780G-4L
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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