A5G26H110NT4はAirfast RFパワーGaNアンプで、2496~2690MHzの広い瞬時帯域幅を必要とするモバイル基地局アプリケーション向けに設計された15W非対称ドハティGaN RFパワーアンプです。
特長と利点
- 最適な広帯域性能のための高い終端インピーダンス
- 次世代信号を使用したエラーベクトル振幅の線形化の改善
- 非常に高い出力VSWRと広帯域動作条件に耐える能力
- 低複雑度の線形化システム用に設計
- 5G基地局向けマッシブMIMOアクティブ・アンテナ・システムに最適化
A5G26H110NT4 製品特性
製品カテゴリ: GaN電界効果トランジスタ
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: DFN-6
チャネル数: 2チャネル
Vds-ドレイン-ソース降伏電圧: 125 V
Id-連続ドレイン電流: 8.7 mA
Vgs-ゲート-ソース間電圧: - 16 V
Vgs th-ゲート・ソース間スレッショルド電圧:- 3 V
最低動作温度: - 55
最大動作温度: + 150
湿度感受性:あり
パッケージ:リール
製品タイプ: GaN FET
シリーズ: A5G26H110N
工場出荷時パッケージ数量: 2500
サブカテゴリ: トランジスタ
技術:GaN-on-Si
タイプ:RFパワーMOSFET
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