商品名称:A5G35H055NT4
データマニュアル:A5G35H055NT4.pdf
ブランド:NXP
年:23+
パッヶージ:DFN-6
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
A5G35H055NT4 Airfast RFパワーGaNトランジスタは、7.6W非対称ドハティRFパワーGaNトランジスタです。 極めて広い瞬時帯域幅能力を必要とするセルラー基地局アプリケーション向けに設計されています。 このトランジスタは、3400~3600MHzの周波数範囲をカバーします。
製品特性
製品カテゴリー:RF金属酸化膜半導体電界効果(RF MOSFET)トランジスタ
技術:GaN Si
Vds-ドレイン-ソース降伏電圧:125 V
動作周波数: 3.4 GHz~3.6 GHz
利得:15.4 dB
出力電力:7.6 W
最低動作温度: - 55
最大動作温度: + 150 C
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: DFN-6
湿度感度: はい
チャンネル数: 2 チャンネル
製品タイプ: RF MOSFETトランジスタ
シリーズ: A5G35H055N
工場出荷時のパッケージ数量: 2500
サブカテゴリ: MOSFET
タイプ:RFパワーMOSFET
Vgs -ゲート-ソース間電圧: - 16 V
Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧: - 3 V
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