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組み込みおよびネットワーク・プロセッサ

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操作

C3M0060065J

製品の説明:650V 60mΩ 36A 第3世代ディスクリートSiC MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0032120D

製品の説明:1200V 32mΩ 63A 第3世代ディスクリートSiC MOSFET

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0025065D

製品の説明:650V 25mΩ 97A 第3世代ディスクリートSiC MOSFET

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0021120K

製品の説明:1200V 21mΩ 100A 第3世代ディスクリートSiC MOSFET

パッヶージ:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0016120D

製品の説明:1200V 16mΩ 115A 第3世代ディスクリートSiC MOSFET

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L018N075SC1
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET、Nチャンネル - EliteSiC、13.5mΩ、750V、M2、TO247-4L

パッヶージ:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L023N065M3S
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET - EliteSiC、23 mΩ、650 V、M3S、TO-247-4L

パッヶージ:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L023N065M3S
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET - EliteSiC、23 mΩ、650 V、M3S、TO-247-4L

パッヶージ:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVHL1000N170M1
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET - EliteSiC、960 mΩ、1700 V、M1、TO-247-3L

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVHL015N065SC1
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET、Nチャンネル - EliteSiC、12 mΩ、650V、M2、TO247-3L

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L013N120M3S
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET - EliteSiC、13 mΩ、1200 V、M3S

パッヶージ:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L095N065SC1
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET、Nチャンネル - EliteSiC、70 mΩ、650V、M2、TO247-4L

パッヶージ:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTCR013N120M3S
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET - EliteSiC、13 mΩ、1200 V、M3S

パッヶージ:Die
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L025N065SC1
ON

製品の説明:炭化ケイ素MOSFET、Nチャンネル - EliteSiC、21mΩ、650V、M2、TO247-4L

パッヶージ:TO-247-4
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L018N075SC1
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET、Nチャンネル - EliteSiC、13.5mΩ、750V、M2、TO247-4L

パッヶージ:TO-247-4
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L095N065SC1
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET - EliteSiC、70 mΩ、650 V、M2、TO-247-4L

パッヶージ:TO-247-4
10起
2990
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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