商品名称:シリコン カーバイド MOSFET シングル トランジスタ
ブランド:ON
年:25+
パッヶージ:H-PSOF-8
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:2000 件
ntbl023n065m3s素子は一种の炭化ケイ素(sic) mosfet、デザインが急速にスイッチを応用し、頼もしい提供の性能。ntbl023n065m3s vgs = 18 vで23メートルオメガの典型を持つrds (on)、超低ゲート・電荷(qg (tot) = 69 nc)と低静電容量の高速スイッチ(coss = 152 pf)。NTBL023N065M3S SiC MOSFETはスイッチドモード電源(SMPS)、ソーラーインバータ、無停電電源(UPS)、エネルギー貯蔵システムとインフラなどのアプリケーションにとても適していて、現代の電源管理の需要のために強力な性能を提供します。
技術的パラメータです
パッケージ/ケース:h-psof-8です
トランジスタの極性はn-channelです
チャンネル数:1チャンネルです。
Vdsドレインソース破壊電圧:650 Vです
Id-連続ドレイン電流:77 Aです
Rds Onドレイン・ソース・オン抵抗:32.6 mOhmsです
Vgsゲートソース電圧は- 8 V + 22 Vです
Vgs th-ゲートソース阈値電圧:4 Vです
Qgゲート電荷:69 nCです
最小動作温度:- 55 Cです。
最大動作温度:+ 175 Cです。
Pd-電力散逸:312 Wです
チャンネルモード:Enhancementです
構成:シングルです
降下時間:9.6 nsです
パッケージ:Reelです
パッケージ:Cut Tapeです
製品:SiC MOSFETSです
製品タイプ:SiC MOSFETSです
立ち上がり時間:15 nsです
シリーズ:NTBL023N065M3Sです
タイプ:1 n-channelです。
典型的なオフ遅延時間:35 nsです。
典型的なオン遅延時間:11 nsです。
モデル
ブランド
パッヶージ
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UJ3C120040K3S
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UF3C120040K3S SiC FET デバイスは、ノーマリーオンの SiC JFET を Si MOSFET とコ・パッケージし、ノーマリーオフの SiC FET デバイスを作製するユニークな「カスコード」回路構成に基づいています。このデバイスの標準的なゲート・ドライブ特性は、Si IGBT、Si FET、Si…UF3C120040K4S
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