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tp65h035g4wsqa 650 v 35 mオメガ窒化ガリウム(gan) fet renesas genivプラットホーム構築の使用はよく素子をつぶる。独自の技術を用いることで、内部インダクタンスの低減と組み立てプロセスの簡素化を実現しました。最先端の高圧GaN HEMTと低圧シリコンMOSFETを組み合わせることで、優れた信頼性と性能を提供しています。また、TP65H035G4WSQAは175°Cの自動車レベル試験、自動車レベルディスク半導体のaec-q101圧力試験にも合格しています。

技術仕様です

FETタイプ:Nチャネルです

技術:GaNFET(窒化ガリウム)です

リークソース電圧(Vdss): 650 Vです

25°C時電流-連続ドレイン(Id): 47.2A (Tc)です

駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 10Vです。

異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):41ミリオ@ 30A, 10Vです。

Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):4.8V @ 1mAです。

異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):22 nC @ 10 Vです。

Vgs(最大値):±20Vです

異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):1500 pF @ 400 Vです。

FET機能:-です

消費電力分散(最大値):187W (Tc)です。

動作温度:-55℃~ 175℃(TJ)です。

レベル:自動車レベルです

資質:aec-q101です。

取り付けタイプ:貫通穴です

パッケージ:to-247-3です。

典型的な応用です。

TP65H035G4WSQAは自働車電子、太陽光インバータ、工業パワーモジュールと高圧直流コンバータなどのシーンに適しています。

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

• 2.会社の商品はすべて本物ですか?

  答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

• 3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

  答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。

• 4.会社のウェブサイトで引き合いをしてもいいですか?

  答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。

• 5.注文したらいつ出荷できますか?どのくらいで着きますか。

  答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。

• 6.会社は領収書を発行できますか?

  答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。