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TP65H050G4QSはRenesasが発売した650VスーパーガンFETで、TOLLパッケージを採用した第4世代Gen IVプラットフォームの製品です。このデバイスは以下の重要なパラメータを有します:

FETタイプ:Nチャネルです

技術:GaNFET(窒化ガリウム)です

リークソース電圧(Vdss): 650 Vです

25°C時電流-連続ドレイン(Id): 34A (Tc)です

駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 10Vです。

異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):60ミリオ@ 22A, 10Vです。

Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):4.8V @ 700µAです。

異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):24 nC @ 10 Vです。

Vgs(最大値):±20Vです

異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):1000 pF @ 400 Vです。

FET機能:-です

消費電力分散(最大値):119W (Tc)です。

動作温度:-55℃~ 150℃(TJ)です。

装着タイプ:表面装着タイプです。

パッケージ:TOLLです

TP65H050G4QSは、ゲート電荷(Qg)、出力容量(Coss)、クロスロス(Qrr)を最適化することで、従来のシリコンベースデバイスに比べて効率を向上させるSuperGaNテクノロジープラットフォームを採用しています。‌

典型的な応用です。

TP65H050G4QSは主にデータセンター、産業電力変換、再生可能エネルギーの分野で使われており、高出力、高密度パワーエレクトロニクスのシステム設計に対応しています。

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

• 2.会社の商品はすべて本物ですか?

  答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

• 3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

  答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。

• 4.会社のウェブサイトで引き合いをしてもいいですか?

  答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。

• 5.注文したらいつ出荷できますか?どのくらいで着きますか。

  答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。

• 6.会社は領収書を発行できますか?

  答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。