商品名称:炭化ケイ素(SiC)MOSFET
ブランド:ST
年:24+
パッヶージ:HiP247-3
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:3000 件
SCT025W120G3AG炭化シリコンパワーMOSFETデバイスは、STの革新的な第3世代SiC MOSFET技術を用いて開発されました。このデバイスは、全温度範囲で非常に低いRDS (on)、低容量、非常に高いスイッチング働作を有しており、周波数、エネルギー効率、システムサイズおよび軽量化に適用される性能を向上させています。
SCT025W120G3AGの特徴です:
・aec-q101規格に準拠しています。
・全温度にわたって非常に低いRDS (on)です。
・高速スイッチング性能です
・非常に高速で安定した固有体ダイオードです
・非常に高い作業結温能力(TJ = 200℃)です。
応用です:
・メインインバータ(電気牽引)です
・EV/HEV用DC/DCコンバータです
・車載充電器(OBC)です。
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