商品名称:SCTWA30N120
データマニュアル:SCTWA30N120.pdf
ブランド:ST
年:23+
パッヶージ:HiP247
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:3000 件
SCTWA30N120 1200V 45A炭化シリコン(SiC) MOSFETは、優れたスイッチング性能と、単位面積あたりのオン抵抗RDS(on)性能指標を極めて低いHiP247パッケージを採用し、より効率的でコンパクトなシステムを実現しています。このパワーMOSFETデバイスアプリケーションは、ソーラーインバータ、UPS、モータ駆働、高電圧dc-dcコンバータとスイッチ式電力供給を含みます。
製品仕様です:
FETタイプ:Nチャネルです
技術:SiCFET(炭化ケイ素)です
ドレインソース電圧(Vdss): 1200 Vです
25°C時電流-連続ドレイン(Id): 45A (Tc)です
駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 20Vです。
異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):100ミリオ@ 20A, 20Vです。
Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):3.5V @ 1mA(標準値)です。
異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):105 nC @ 20 Vです。
Vgs(最大値):+25V, -10Vです
異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):1700 pF @ 400 Vです。
FET機能:-です
消費電力分散(最大値):270W (Tc)です。
動作温度:-55°C ~ 200°C (TJ)です。
取り付けタイプ:貫通穴です
サプライズデバイパッケージ:HiP247™ロングリード
パッケージ/ハウジング:to-247-3です。
基本品番:SCTWA30です。
モデル
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パッヶージ
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