商品名称:SCT3040KRC14
データマニュアル:SCT3040KRC14.pdf
ブランド:ROHM
年:23+
パッヶージ:TO-247-4
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1300 件
SCT3040KRC14 NチャンネルSiC(炭化ケイ素)パワーMOSFET。
製品特性
製品分類:MOSFET
技術:SiC
実装スタイル:スルーホール
パッケージ/ケース: TO-247-4
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャネル数: 1チャネル
Vds-ドレイン-ソース降伏電圧: 1.2 kV
Id-連続ドレイン電流: 55 A
Rds On -ドレイン-ソース間オン抵抗:40 mOhms
Vgs - ゲート・ソース間電圧: - 4 V, + 22 V
Vgs th - ゲート・ソースしきい値電圧:5.6 V
Qg - ゲート電荷量: 107 nC
最低動作温度: - 55
最大動作温度:+ 175
Pd - 許容損失: 262 W
チャネル・モード: エンハンスメント
シリーズ: SCT3x
構成: シングル
降下時間: 19 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 8.3 S
立ち上がり時間: 19 ns
トランジスタタイプ: 1 Nチャンネル
標準オフ遅延時間: 29 ns
標準ターンオン遅延時間: 6 ns
品番別名: SCT3040KR
単位重量: 6 g
製品用途
ソーラーインバータ
DC/DCコンバータ
スイッチングモード電源
誘導加熱
モータードライブ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。
答え:現在、私たちの自営代理店 TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。
答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。
答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。
答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
ローム株式会社は、世界有数の半導体メーカーであり、日本の京都に本社を置き、半導体、集積回路、その他の電子部品の設計と製造を行っています。 これらのコンポーネントは、急速に変化し、成長しているワイヤレス、コンピューター、自動車、家電市場での地位を確立して…
RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11は、低スイッチング損失、低導通損失を特長とするIGBTトランジスタです。車載用電動コンプレッサやHVヒータ、産業用インバータに最適です。RGA80TSX2HRC11の特長AEC-Q101準拠短絡耐量10μs低コレクタ-エミッタ飽和電圧超高速ソフトリカバリーFRD内蔵鉛フリ…RGA80TSX2EHRC11
RGA80TSX2EHRC11は、低スイッチング損失、低導通損失を特長とするIGBTトランジスタです。車載用電動コンプレッサやHVヒータ、産業用インバータに最適です。RGA80TSX2EHRC11の特長AEC-Q101準拠短絡耐量10μs低コレクタ-エミッタ飽和電圧超高速ソフトリカバリーFRD内蔵鉛フ…RGA80TRX2HRC15
RGA80TRX2HRC15は、低スイッチング損失、低導通損失を特長とするIGBTトランジスタです。車載用電動コンプレッサやHVヒータ、産業用インバータに最適です。RGA80TRX2HRC15の特長AEC-Q101準拠短絡耐量10μs低コレクタ-エミッタ飽和電圧超高速ソフトリカバリーFRD内蔵鉛フリ…RGA80TRX2EHRC15
RGA80TRX2EHRC15は、低スイッチング損失、低導通損失を特長とするIGBTトランジスタです。車載用電動コンプレッサやHVヒータ、産業用インバータに最適です。RGA80TRX2EHRC15の特長AEC-Q101準拠短絡耐量10μs低コレクタ-エミッタ飽和電圧超高速ソフトリカバリーFRD内蔵鉛フ…BM3G007MUV-LBE2
bm3g007muv-lbe2は、Nano Cap™650V GaN HEMTパワーステージICで、高出力密度と高効率が求められるさまざまな電子システムに適しています。650Vの強化されたGaN HEMTとシリコンドライバーが組み込まれています。特性です:Nano CAP™は5VのLDOを選択できます産業応用を長期…SCT3160KWATL
SCT3160KWATLは1200V、17A SiC(炭化ケイ素)溝MOSFETで、小型のto-263 -7パッケージを採用しています。耐高圧、低オン抵抗、高速スイッチング速度が特徴です。SCT3160KWATLの規格です:FETタイプ:Nチャネルです技術:SiCですドレインソース電圧(Vdss): 1200 Vです25C時電流-…連絡先電話:86-755-83294757
企業QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
サービス時間:9:00-18:00
連絡先メールボックス:sales@hkmjd.com
会社の住所:広東省深圳市福田区振中路国利ビル1239~1241号室
CopyRight©2022 明佳達著作権の所有 広東ICP備05062024号-12
公式QRコード
友情リンク: