商品名称:IMBG120R140M1H
データマニュアル:IMBG120R140M1H.pdf
ブランド:INFINEON
年:23+
パッヶージ:TO-263-7
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:2000 件
IMBG120R140M1Hは、1200V、140mΩのCoolSiC™ SiC MOSFETで、D2PAK-7L (TO-263-7) パッケージを採用し、性能と信頼性の両面で最適化された先進のトレンチ・プロセスに基づいて作られています。 改良型 1200V SMD パッケージで提供されるこの製品は、CoolSiC 技術の低消費電力特性と .XT インターコネクトテクノロジーを組み合わせ、モータードライブ、充電モジュール、産業用電源などのアプリケーションで最大の効率とパッシブ冷却を実現します。
機能説明
極めて低いスイッチング損失
短絡能力:3μs
dV/dtのフルコントロールが可能
ゲートしきい値電圧typical:VGS(th) = 4.5 V
優れた耐寄生虫性オンステート能力、0Vシャットダウン可能
ハードスイッチングに対応した堅牢なボディダイオード
.XTインターコネクトテクノロジーによるクラス最高の放熱性能
パッケージ沿面距離と電気的すきま>6.1 mm
スイッチング性能を最適化するセンスピン
応用分野
無停電電源装置(UPS)
電気自動車用急速充電器
産業用モータードライブおよびコントロール
ソーラーシステム・ソリューション
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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F3L600R10W4S7F-C22TRENCHSTOP™ IGBT7 および CoolSiC™ ショットキー ダイオードと PressFIT / NTC を備えた EasyPACK™ モジュール特徴• 電気的特性-VCES = 950V- IC公称 = 600 A / ICRM = 800 A- CoolSiCTM ショットキー ダイオード Gen 5- TRENCHSTOPTM IGBT7- Tvj連絡先電話:86-755-83294757
企業QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
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