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IMBG65R107M1HXTMA1は650V CoolSiC M1 SiC Trench Power Device, SMD Compact Package SiC MOSFETです。

IMBG65R107M1HXTMA1の製品属性

FETの種類 Nチャンネル

テクノロジー SiCFET (炭化ケイ素)

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)： 650 V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C： 24A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）： 18V

Rdsオン（最大）＠Id、Vgs： 141mOhm@8.9A、18V

Vgs(th) (Max) @ Id： 5.7V＠2.6ミリアンペア

ゲートチャージ(Qg)(最大)@Vgs： 15 nC @ 18 V

Vgs (Max)： +23V、-5V

入力キャパシタンス（Ciss）（マックス）@ Vds： 496 pF @ 400 V

消費電力（Max）： 110W (Tc)

動作温度： -55°C ~ 175°C (TJ)

マウントタイプ 表面実装

サプライヤーデバイスパッケージ： PG-TO263-7-12

パッケージ/ケース： TO-263-8、D²Pak（7リード＋タブ）、TO-263CA

IMBG65R107M1HXTMA1」の特長

効率性の向上

高性能、高信頼性、使いやすさのユニークな組み合わせ

使いやすさと統合のしやすさ

ハードコミュテーションが連続するトポロジーに適する

高い堅牢性とシステムの信頼性

集積回路チップ IMBG65R107M1HXTMA1 Nチャンネル650V MOSFET トランジスター

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

• 2.会社の商品はすべて本物ですか?

  答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

• 3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

  答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。

• 4.会社のウェブサイトで引き合いをしてもいいですか?

  答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。

• 5.注文したらいつ出荷できますか?どのくらいで着きますか。

  答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。

• 6.会社は領収書を発行できますか?

  答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。