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IMZC120R053M2 は、CoolSiC™ MOSFET ディスクリート 1200V、53mΩ G2 で、TO-247 4 ピンの高クロールパッケージに収められています。このパッケージは、第 1 世代テクノロジの長所に大幅な機能強化を加え、コスト最適化、高効率、コンパクト、設計が容易で信頼性の高いシステム向けの高度なソリューションを提供します。 一般的なAC-DC、DC-DC、DC-ACレベルのすべての組み合わせに対して、改良されたハード・スイッチング動作とソフト・スイッチング・トポロジーを提供します。

IMZC120R053M2デバイス仕様

メーカー：インフィニオン

製品カテゴリー：炭化ケイ素MOSFET

パッケージ/ボックス： TO-247-4

トランジスタ極性： Nチャンネル

チャネル数： 1チャネル

Vds-ドレイン-ソース降伏電圧： 1.2 kV

Id-連続ドレイン電流：38 A

Rds-ドレインオン抵抗: 53 mOhms

Vgs -ゲート-ソース間電圧：- 10 V, + 25 V

Vgs th-ゲート・ソース間しきい値電圧：5.1 V

Qg - ゲート電荷: 30 nC

最低動作温度： - 55

最大動作温度： + 175 C

Pd-電力損失：182 W

チャネル・モード： エンハンスメント

コンフィギュレーション：シングル

立ち下がり時間： 5.9 ns

順方向トランスコンダクタンス - min: 9 S

立ち上がり時間：5.5 ns

テクノロジー： SiC

トランジスタタイプ： 1 Nチャンネル

タイプ：SiC MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：10 ns

標準ターンオン遅延時間：4.5 ns

特性

RDS(on) = 53 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25°C

非常に低いスイッチング損失

より広い最大VGS範囲 最大VGS範囲 -10 V～+25 V

最大過負荷動作温度 Tvj = 200°C

短絡耐量 2 µs

ベース・ゲートしきい値電圧 4.2 V

堅牢な寄生伝導

XT相互接続技術

より厳しいVGS(th)パラメータ分布

潜在的アプリケーション

汎用ドライバー（GPD）

電気自動車充電

オンラインUPS/産業用UPS

ソーラー最適化装置

ストリング・インバータ

エネルギー貯蔵システム（ESS）

溶接

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

• 2.会社の商品はすべて本物ですか?

  答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

• 3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

  答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。

• 4.会社のウェブサイトで引き合いをしてもいいですか?

  答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。

• 5.注文したらいつ出荷できますか?どのくらいで着きますか。

  答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。

• 6.会社は領収書を発行できますか?

  答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。