商品名称:IMYH200R075M1H
データマニュアル:IMYH200R075M1H.pdf
ブランド:INFINEON
年:23+
パッヶージ:TO-247-4
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
IMYH200R075M1H CoolSiC™ 2000 V 75 mΩ SiC MOSFET は TO-247PLUS-4-HCC パッケージで、厳しい高電圧とスイッチング周波数の条件下でも、システムの信頼性を損なうことなく高い電力密度を提供するように設計されています。 CoolSiC™テクノロジーの低電力損失は、2000Vに最適化されたパッケージのXT相互接続技術によって高い信頼性を実現し、ストリングインバータ、ソーラーオプティマイザ、電気自動車充電、エネルギー貯蔵システムなどのアプリケーションで最大の効率を達成します。
製品特性
FETタイプ:Nチャンネル
技術:SiC(炭化ケイ素接合トランジスター)
ドレインソース電圧(Vdss):2000V
ドレイン連続電流(25℃):34 A(Tc)
駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On):15V, 18V
異なるId、Vgsでのオン抵抗(最大):98ミリオーム@13A、18V
異なるIdでのVgs(th)(最大):5.5V @ 7.7mA
異なるVgs(max)でのゲートチャージ(Qg):64nC@18V
Vgs (最大): +20V、-7V
FET機能: -
許容損失(最大): 267W (Tc)
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
実装タイプ:スルーホール
サプライヤーデバイスパッケージ: PG-TO247-4-U04
パッケージ/ケース: TO-247-4
基本部品番号: IMYH200
想定される用途
- ストリングスインバーター
- ソーラーオプティマイザー
- 電気自動車充電
モデル
ブランド
パッヶージ
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説明
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