商品名称:IMBG65R048M1H
データマニュアル:IMBG65R048M1H.pdf
ブランド:INFINEON
年:23+
パッヶージ:TO-263-7
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
IMBG65R048M1H CoolSiC™ MOSFET 650 VSiC MOSFETは、コンパクトな7ピンSMDパッケージで提供され、高電力アプリケーション向けの高度なインフィニオン・シリコンカーバイド・トレンチ技術に基づくものである。このデバイスは、システム性能の向上、小型化、信頼性の向上を目的として設計されています。
特徴説明
低いQrrとQoss
低スイッチング損失
整流ロバストなファストボディダイオード
優れたゲート酸化膜の信頼性を実現する先進のトレンチ技術
優れた熱性能を実現するXTインターコネクト技術
強化されたアバランシェ能力
PCBに直接組み込むためのSMDパッケージ
スイッチング性能を最適化するセンスピン
メリット
高性能、高信頼性、使い勝手の良さ
高いシステム効率と高い電力密度
システムコストと複雑性の低減
低コスト、シンプルな構造、システムの小型化
連続ハードコミュテーショントポロジー
高温・過酷な動作環境に対応可能
双方向性トポロジーを可能にする
想定されるアプリケーション
サーバー
通信機器
スイッチング電源(SMPS)
ソーラーシステム
蓄電システム、バッテリーシステム
無停電電源装置(UPS)
電気自動車用充電器
モータードライブ
モデル
ブランド
パッヶージ
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説明
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F3L600R10W4S7F-C22TRENCHSTOP™ IGBT7 および CoolSiC™ ショットキー ダイオードと PressFIT / NTC を備えた EasyPACK™ モジュール特徴• 電気的特性-VCES = 950V- IC公称 = 600 A / ICRM = 800 A- CoolSiCTM ショットキー ダイオード Gen 5- TRENCHSTOPTM IGBT7- Tvj連絡先電話:86-755-83294757
企業QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
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