商品名称:IMBG65R048M1H
データマニュアル:IMBG65R048M1H.pdf
ブランド:INFINEON
年:23+
パッヶージ:TO-263-7
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
IMBG65R048M1H CoolSiC™ MOSFET 650 VSiC MOSFETは、コンパクトな7ピンSMDパッケージで提供され、高電力アプリケーション向けの高度なインフィニオン・シリコンカーバイド・トレンチ技術に基づくものである。このデバイスは、システム性能の向上、小型化、信頼性の向上を目的として設計されています。
特徴説明
低いQrrとQoss
低スイッチング損失
整流ロバストなファストボディダイオード
優れたゲート酸化膜の信頼性を実現する先進のトレンチ技術
優れた熱性能を実現するXTインターコネクト技術
強化されたアバランシェ能力
PCBに直接組み込むためのSMDパッケージ
スイッチング性能を最適化するセンスピン
メリット
高性能、高信頼性、使い勝手の良さ
高いシステム効率と高い電力密度
システムコストと複雑性の低減
低コスト、シンプルな構造、システムの小型化
連続ハードコミュテーショントポロジー
高温・過酷な動作環境に対応可能
双方向性トポロジーを可能にする
想定されるアプリケーション
サーバー
通信機器
スイッチング電源(SMPS)
ソーラーシステム
蓄電システム、バッテリーシステム
無停電電源装置(UPS)
電気自動車用充電器
モータードライブ
モデル
ブランド
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説明
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
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