商品名称:IMZ120R220M1H
データマニュアル:IMZ120R220M1H.pdf
ブランド:INFINEON
年:23+
パッヶージ:TO-247-4
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
IMZ120R220M1Hは、性能と信頼性の両面で最適化された先進のトレンチ半導体プロセスを採用したTO247-4パッケージの1200V、220mΩのCoolSiC™ MOSFETです。IGBT や MOSFET などの従来のシリコン(Si)ベースのスイッチと比較して、SiC MOSFET は、1200 V クラスのスイッチの中で最も低いゲート電荷とデバイス容量レベル、整流子抵抗ダイオードの逆回復損失なし、温度に依存しない低いスイッチングロスとスレッショルド伝導特性など多くの利点を備えています。 その結果、CoolSiC™ MOSFETは、力率改善(PFC)回路、双方向トポロジー、DC-DCコンバータやDC-ACインバータなどのハードスイッチングや共振スイッチングトポロジーに理想的に適している。
特徴
クラス最高レベルのスイッチング損失と伝導損失
ベースラインの高しきい値電圧、Vth > 4 V
0Vのターンオフゲート電圧により、シンプルで容易なゲート駆動が可能
幅広いゲートソース電圧に対応
ハードコミュテーションのための低損失で堅牢なボディダイオード
スイッチング損失は温度に依存しない
スイッチング性能を最適化するドライブソースピン
利点
最高の効率
冷却の手間を省く
動作周波数の向上
電力密度の向上
システムの複雑さを軽減
応用分野
無停電電源装置(UPS)
電気自動車への急速充電
ソーラーシステムソリューション
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。
答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。
答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
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