商品名称:IMZA65R083M1H
データマニュアル:IMZA65R083M1H.pdf
ブランド:INFINEON
年:23+
パッヶージ:TO-247-4
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:10000 件
IMZA65R083M1H 650V CoolSiC™ MOSFETは、先進のトレンチ半導体技術に基づき、アプリケーションでの最小損失と妥協のない動作での最高の信頼性を目指して最適化されています。
TO247 4ピン・パッケージで提供されるInfineon SiC MOSFETは、ソース寄生インダクタンスがゲート回路に与える影響を軽減し、スイッチング速度の高速化と効率の向上を実現します。
IMZA65R083M1H の仕様
FETタイプ:Nチャンネル
技術:SiCFET(シリコンカーバイド)
ドレイン・ソース電圧(Vdss):650V
25℃におけるドレイン連続電流(Id):26 A(Tc)
駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On):18 V
異なるId、Vgsでのオン抵抗(最大): 111ミリオーム@11.2A、18V
異なるIdでのVgs(th)(最大):5.7V @ 3.3mA
ゲートチャージ(Qg)、Vgs違い(最大):19nC@18V
Vgs (最大): +20V、-2V
入力容量(Ciss)(Vds(max)別): 624 pF @ 400 V
FETの機能: -
電力損失(最大):104W(Tc)
動作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)
実装タイプ:スルーホール
サプライヤーデバイスパッケージ: PG-TO247-4-3
パッケージ/ケース: TO-247-4
想定される用途
サーバー
テレコムシステム
SMPS
太陽エネルギーシステム
蓄電・バッテリー情報
UPS
電気自動車用充電器
モータードライブ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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