商品名称:IMBG65R163M1H
データマニュアル:IMBG65R163M1H.pdf
ブランド:INFINEON
年:23+
パッヶージ:TO-263-7
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:2000 件
IMBG65R163M1H CoolSiC™ MOSFET 650 VSiC MOSFETは、コンパクトな7ピンSMDパッケージで提供され、高電力アプリケーション向けの高度なインフィニオン・シリコンカーバイド・トレンチ技術に基づくものである。このデバイスは、システム性能の向上、小型化、信頼性の向上を目的として設計されています。
IMBG65R163M1Hの製品仕様
ETタイプ:Nチャンネル
技術:SiCFET(シリコンカーバイド)
ドレインソース電圧(Vdss):650V
25℃における連続ドレイン電流(Id):17A (Tc)
駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On):18V
異なるId、Vgsに対するオン抵抗(最大): 217ミリオーム@5.7A、18V
異なるIdのVgs(th)(最大):5.7V @ 1.7mA
ゲートチャージ(Qg)、Vgs(max)違い:10 nC @ 18 V
Vgs (最大): +23V、-5V
入力容量(Ciss)(Vds(max)別): 320 pF @ 400 V
FETの機能: -
電力損失(最大):85W(Tc)
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
実装タイプ: 表面実装タイプ
サプライヤーデバイスパッケージ: PG-TO263-7-12
パッケージ/ケース: TO-263-8、D²Pak(7リード+タブ)、TO-263CA
基本部品番号: IMBG65R
想定される用途
- テレコムサーバー用SMPS
- UPS(無停電電源装置)
- 太陽光発電インバーター
- 充電インフラ
- 蓄電池・バッテリー形成
- クラスダンピングアンプ
モデル
ブランド
パッヶージ
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