商品名称:SCT027W65G3-4AG
ブランド:ST
年:23+
パッヶージ:TO-247-4
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
SCT027W65G3-4AG炭化ケイ素パワーMOSFETデバイスは、STの先進的かつ革新的な第3世代SiC MOSFET技術を用いて開発されました。 本デバイスは、全温度範囲にわたって極めて低いRDS(on)、低容量、および非常に高いスイッチング動作性能を提供し、周波数、エネルギー効率、システム・サイズ、および軽量化の面でアプリケーション性能を向上させます。
製品特性
トランジスタタイプ: Nチャンネル・トランジスタ
技術:SiC(炭化ケイ素接合トランジスタ)
ドレイン・ソース間電圧(Vdss):650 В
25°Cでの連続ドレイン電流(Id): 60 A(Tc)
電源電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): 15 V、18 V 15 V、18 V
スイッチング抵抗(最大)、異なるId、Vgs時: 39.3 mΩ@30A、18V
異なるIdでのVgs(th)(最大): 4.2V @ 5mA
ゲート電荷 (Qg) at Vgs (max): 51 nC @ 18V 51 nC @ 18V
Vgs(最大):+22V、-10V
入力キャパシタンス(Ciss)@各種Vds(最大): 1229 pF@400 V
許容損失(最大): 313 W(Tc): 313 W(Tc)
動作温度: -55°C ~ 200°C (TJ)
グレード:自動車グレード
認定: AEC-Q101
実装タイプ:スルーホール
供給範囲: TO-247-4
パッケージ/ハウジング: TO-247-4
アプリケーション
● メインインバータ(電気牽引)
● 電気自動車/ハイブリッド車用DC/DCコンバータ
● 車載充電器(OBC)
モデル
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パッヶージ
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概観です:STM32H523ZEJ6マイクロコントローラはArmCortex-M33コアを採用し、armv8-m向けTrustZoneテクノロジーとDSP、浮動小数点ユニット(FPU)を搭載し、最大250 MHzで動作します。STM32H523ZEJ6は512KBのFlashメモリ、272 KBのSRAM、144ピンのUFBGAパッケージを採用して…STM32H523VET6
概観です:STM32H523VET6マイクロコントローラはArmCortex-M33コアを採用し、armv8-m向けTrustZoneテクノロジーとDSP、浮動小数点ユニット(FPU)を搭載し、最大250 MHzで動作します。STM32H523VET6は512KBのFlashメモリ、272 KBのSRAMを備え、100ピンのLQFPパッケージを採用…STM32H523VEI6
概観です:STM32H523VEI6マイクロコントローラはArmCortex-M33コアを採用し、armv8-m向けTrustZoneテクノロジーとDSP、浮動小数点ユニット(FPU)を搭載し、最大250 MHzで動作します。STM32H523VEI6は512KBのFlashメモリ、272 KBのSRAMを備え、100ピンのUFBGAパッケージを採…STM32H523RET6
概観です:STM32H523RET6マイクロコントローラはArmCortex-M33コアを採用し、armv8-m向けTrustZoneテクノロジーとDSP、浮動小数点ユニット(FPU)を搭載し、最大250 MHzで動作します。STM32H523RET6は512KBのFlashメモリ、272 KBのSRAMを備え、64ピンのLQFPパッケージを採用…連絡先電話:86-755-83294757
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