STL325N4F8AG NチャネルパワーMOSFETは、STripFET F8技術を使用した強化トレンチゲート構造を特長としています。 内部容量とゲート電荷を低減し、より高速で効率的なスイッチングを実現する一方で、極めて低いオン抵抗を保証します。
製品属性
FETタイプ: Nチャンネル
技術:MOSFET(金属酸化膜)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):40 V
25°Cでの連続ドレイン電流(Id):373A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): 4.5V、10V
異なるId、Vgsでのオン抵抗(最大):0.75 mOhm @ 60A、10V
異なるIdにおけるVgs(th)(最大): 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)、Vgs変化時: 95 nC @ 10 V
Vgs(最大):±16V
入力キャパシタンス(Ciss)(最大): 7657 pF @ 25 V
許容損失(最大): 188W(Tc)
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
実装タイプ: 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ: PowerFlat™ (5x6)
パッケージ/ケース: 8-PowerVDFN
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概観です:STM32H523ZEJ6マイクロコントローラはArmCortex-M33コアを採用し、armv8-m向けTrustZoneテクノロジーとDSP、浮動小数点ユニット(FPU)を搭載し、最大250 MHzで動作します。STM32H523ZEJ6は512KBのFlashメモリ、272 KBのSRAM、144ピンのUFBGAパッケージを採用して…STM32H523VET6
概観です:STM32H523VET6マイクロコントローラはArmCortex-M33コアを採用し、armv8-m向けTrustZoneテクノロジーとDSP、浮動小数点ユニット(FPU)を搭載し、最大250 MHzで動作します。STM32H523VET6は512KBのFlashメモリ、272 KBのSRAMを備え、100ピンのLQFPパッケージを採用…STM32H523VEI6
概観です:STM32H523VEI6マイクロコントローラはArmCortex-M33コアを採用し、armv8-m向けTrustZoneテクノロジーとDSP、浮動小数点ユニット(FPU)を搭載し、最大250 MHzで動作します。STM32H523VEI6は512KBのFlashメモリ、272 KBのSRAMを備え、100ピンのUFBGAパッケージを採…STM32H523RET6
概観です:STM32H523RET6マイクロコントローラはArmCortex-M33コアを採用し、armv8-m向けTrustZoneテクノロジーとDSP、浮動小数点ユニット(FPU)を搭載し、最大250 MHzで動作します。STM32H523RET6は512KBのFlashメモリ、272 KBのSRAMを備え、64ピンのLQFPパッケージを採用…連絡先電話:86-755-83294757
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