商品名称:STL210N4LF7AG
ブランド:ST
年:23+
パッヶージ:8-PowerVDFN
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:2000 件
STL210N4LF7AG 40 V、120 A自動車レベルNチャネルパワーMOSFETはSTRIPFET F7技術と強化されたトレンドゲートストラクチャリングを採用して、非常に低いオン抵抗を実現し、同時に内部容量とゲート電荷を低減して、より速くて効率的なスイッチングを実現します。このデバイスはaec-q101規格に準拠しています。
製品の属性。
FETタイプ:Nチャネルです
技術:MOSFET(金属酸化物)です
ドレインソース電圧(Vdss): 40 Vです
25°C時電流-連続ドレイン(Id): 120A (Tc)です
駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 4.5V、10Vです。
異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):1.6ミリオ@ 30A, 10Vです。
Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):2.5V @ 250µAです。
異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):56 nC @ 10 Vです。
Vgs(最大値):±20Vです
異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):4210 pF @ 25 Vです
FET機能:-です
消費電力分散(最大値):150W (Tc)です。
動作温度:-55℃~ 175℃(TJ)です。
レベル:自動車レベルです
資質:aec-q101です。
装着タイプ:表面装着タイプです。
サプライズデバイスパッケージ:PowerFlat™(5x6)です。
パッケージ/ハウジング:8-PowerVDFNです
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このNチャネル・パワーMOSFETは、強化されたトレンチ・ゲート構造を特徴とするSTripFET F8技術を利用しています。連絡先電話:86-755-83294757
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