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SCT016H120G3AG素子は1200 Vの自動車用炭化シリコンパワーMOSFETトランジスタで、STの先進的な第三世代SiC MOSFET技術を用いて開発されました。高スイッチング速度と堅牢な内蔵ダイオードで、高週波応用に適しています。また、SCT016H120G3AGはaec-q101規格に準拠しており、カーエレクトロニクス分野に適しています。

技術的パラメータです

製品:SCT016H120G3AGです

パッケージ/ケース:h2pak-7です

トランジスタの極性はn-channelです

チャンネル数:1チャンネルです。

Vdsドレイン・ソース・パンクヮンス電圧:1.2 kVです

Id連続ドレイン電流112 Aです

Rds Onドレイン・ソース・オン抵抗:22 mOhmsです

Vgsゲートソース電圧は- 10 V + 22 Vです

Vgs th-ゲートソース阈値電圧:3 Vです

Qgゲート電荷:150 nCです

最小動作温度:- 55 Cです。

最大動作温度:+ 175 Cです。

Pd-電力散逸:652 Wです

チャンネルモード:Enhancementです

資格:aec-q101です

構成:シングルです

降下時間は23 nsです

パッケージ:Reelです

パッケージ:Cut Tapeです

パッケージ:MouseReelです

製品:SiC MOSFETSです

製品タイプ:SiC MOSFETSです

立ち上がり時間:22 nsです

典型的なオフ遅延時間:126 nsです。

典型的なオン遅延時間:46 nsです。

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

• 2.会社の商品はすべて本物ですか?

  答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

• 3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

  答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。

• 4.会社のウェブサイトで引き合いをしてもいいですか?

  答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。

• 5.注文したらいつ出荷できますか?どのくらいで着きますか。

  答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。

• 6.会社は領収書を発行できますか?

  答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。