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TO247-4 パッケージの IMZA120R040M1H 1200V 40mΩ CoolSiCTM SiC MOSFET は、性能と信頼性のために最適化された高度なトレンチ プロセスに基づいています。 IGBT や MOSFET などの従来のシリコン (Si) ベースのデバイスと比較して、SiC MOSFET は、1200 V スイッチング デバイスで最も低いゲート電荷とデバイス容量、ボディ ダイオードでの逆回復損失がない、ターンオフなど、多くの利点を提供します。損失は温度の影響を受けます 影響が少なく、ニー電圧のないターンオン特性です。したがって、CoolSiC™ SiC MOSFET は、力率補正 (PFC) 回路、双方向トポロジ、DC-DC コンバータまたは DC-AC インバータなどのハード スイッチングおよび共振スイッチング トポロジに最適です。

TO247-4パッケージのインフィニオンのSiC MOSFETは、ゲート回路のソース寄生インダクタンスの影響を低減し、より高速なスイッチングとより高い効率を実現します。

製品特性

メーカー Infineon Technologies

シリーズ CoolSiC™

包装チューブ

FET型Nチャンネル

テクノロジー SiCFET (シリコンカーバイド)

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 1200 V

25°C での電流 - 連続ドレイン (Id) 55A (Tc)

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) 15V、18V

さまざまな Id、Vgs でのオン抵抗 (最大) 54.4 ミリオーム @ 19.3A、18V

異なる Id での Vgs(th) (最大) 5.2V @ 8.3mA

さまざまな Vgs でのゲート電荷 (Qg) (最大) 39 nC @ 18 V

Vgs (最大) +20V、-5V

Vds (最大) での入力容量 (Ciss) 1620 nF @ 25 V

FET機能 -

消費電力 (最大) 227W (Tc)

動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ スルーホール

サプライヤー デバイス パッケージ PG-TO247-4-8

パッケージ/エンクロージャー TO-247-4

応用分野

バッテリー形成

電気自動車の急速充電

モーター制御と駆動

電源

ソーラー システム ソリューション

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

• 2.会社の商品はすべて本物ですか?

  答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

• 3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

  答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。

• 4.会社のウェブサイトで引き合いをしてもいいですか?

  答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。

• 5.注文したらいつ出荷できますか?どのくらいで着きますか。

  答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。

• 6.会社は領収書を発行できますか?

  答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。