商品名称:IMZA120R040M1H
データマニュアル:IMZA120R040M1H.pdf
ブランド:INFINEON
年:21+
パッヶージ:TO-247-4
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:240 件
TO247-4 パッケージの IMZA120R040M1H 1200V 40mΩ CoolSiCTM SiC MOSFET は、性能と信頼性のために最適化された高度なトレンチ プロセスに基づいています。 IGBT や MOSFET などの従来のシリコン (Si) ベースのデバイスと比較して、SiC MOSFET は、1200 V スイッチング デバイスで最も低いゲート電荷とデバイス容量、ボディ ダイオードでの逆回復損失がない、ターンオフなど、多くの利点を提供します。損失は温度の影響を受けます 影響が少なく、ニー電圧のないターンオン特性です。したがって、CoolSiC™ SiC MOSFET は、力率補正 (PFC) 回路、双方向トポロジ、DC-DC コンバータまたは DC-AC インバータなどのハード スイッチングおよび共振スイッチング トポロジに最適です。
TO247-4パッケージのインフィニオンのSiC MOSFETは、ゲート回路のソース寄生インダクタンスの影響を低減し、より高速なスイッチングとより高い効率を実現します。
製品特性
メーカー Infineon Technologies
シリーズ CoolSiC™
包装チューブ
FET型Nチャンネル
テクノロジー SiCFET (シリコンカーバイド)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 1200 V
25°C での電流 - 連続ドレイン (Id) 55A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) 15V、18V
さまざまな Id、Vgs でのオン抵抗 (最大) 54.4 ミリオーム @ 19.3A、18V
異なる Id での Vgs(th) (最大) 5.2V @ 8.3mA
さまざまな Vgs でのゲート電荷 (Qg) (最大) 39 nC @ 18 V
Vgs (最大) +20V、-5V
Vds (最大) での入力容量 (Ciss) 1620 nF @ 25 V
FET機能 -
消費電力 (最大) 227W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ スルーホール
サプライヤー デバイス パッケージ PG-TO247-4-8
パッケージ/エンクロージャー TO-247-4
応用分野
バッテリー形成
電気自動車の急速充電
モーター制御と駆動
電源
ソーラー システム ソリューション
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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