商品名称:IMBG65R039M1H
データマニュアル:IMBG65R039M1H.pdf
ブランド:INFINEON
年:21+
パッヶージ:TO-263-7
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
IMBG65R039M1H CoolSiC™ MOSFET テクノロジは、炭化ケイ素の強力な物理特性を最大限に活用することで、デバイスの性能、堅牢性、および使いやすさという独自の利点を強化します。 IMBG65R039M1H CoolSiC™ MOSFET 650 VSiC MOSFETは、高電力アプリケーション向けの高度なインフィニオンSiCトレンチ技術に基づくコンパクトな7ピンSMDパッケージに収められています。 このデバイスは、システム性能の向上、サイズの縮小、および信頼性の向上を目的として設計されています。
機能説明
Qrr と Qoss が低い
低スイッチング損失
コミュテーション ロバスト ファスト ボディ ダイオード
優れたゲート酸化物信頼性のための高度なトレンチ技術
.XT 相互接続テクノロジによる優れた熱性能
雪崩能力が強い
PCB に直接統合するための SMD パッケージ
スイッチング性能を最適化するセンスピン
潜在的なアプリケーション
サーバ
電気通信
スイッチング電源 (SMPS)
太陽系
エネルギー貯蔵およびバッテリーシステム
無停電電源装置 (UPS)
電気自動車の充電
モータードライバー
モデル
ブランド
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説明
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